DI035P04PT

DI035P04PT

P-Channel Power MOSFET

P-Kanal Leistungs-MOSFET

ID25°C

= - 35 A

RDS(on) < 19 mΩ

Tjmax

= 175°C

VDSS = - 40 V

PD

= 30 W

EAS = 54 mJ

Version 2024-07-29

QFN3x3

DFN3030

SPICE Model & STEP File 1)

Marking Code

304P190

Type/Typ

HS Code 85412900

Typical Applications

Power Management Units

Battery powered devices

Load Switches, Polarity Protection

Commercial grade

Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)

Suffix -AQ: AEC-Q101 qualified 1)

Typische Anwendungen

Stromüberwachungseinheiten

Batteriebetriebene Geräte

Lastschalter, Verpolschutz

Standardausführung

Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)

Suffix -AQ: AEC-Q101 qualifiziert 1)

Features

Logic Level Gate Drive

Tiny, space saving package

Low profile height

Low on state resistance

Fast switching times

Low gate charge

Compliant to RoHS (w/o exempt.)

REACH, Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Logic Level Gate-Ansteuerung

Winzige, platzsparende Bauform

Niedrige Bauhöhe

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltzeiten

Niedrige Gate-Ladung

Konform zu RoHS (ohne Ausn.)

REACH, Konfliktmineralien 1)

Mechanical Data 1)

Mechanische Daten 1)

Taped and reeled

5000 / 13“

Gegurtet auf Rolle

Weight approx.

0.1 g

Gewicht ca.

Case material

UL 94V-0

Gehäusematerial

Solder & assembly conditions

260°C/10s

Löt- und Einbaubedingungen

MSL = 3

Maximum ratings 1)

Grenzwerte 2)

DI035P04PT/-AQ

Drain-Source voltage

Drain-Source-Spannung

VGS = 0 V (short)

- VDSS

40 V

Gate-Source-voltage continuos – Gate-Source-Spannung dauernd

VGSS

± 20 V

Power dissipation – Verlustleistung

TC = 25°C 2)

Ptot

30 W

Drain current continous

Drainstrom dauernd

TC = 25°C 3)

TC = 100°C 3)

- ID

35 A

24 A

Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom

3)

- IDM

120 A

Source current continous

Sourcestrom dauernd

TC = 25°C 3)

- IS

29 A

Peak Source current – Source-Spitzenstrom

VGS = 0 V, tp = 10 ms

- ISM

80 A

Single pulse avalanche energy

Einzelpuls Avalanche-Energie

(Fig. 1)

VDD = 30 V, VG = 10 V

L = 0.1 mH, RG = 25 Ω

EAS

54 mJ

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

Tj

TS

-55…+175°C

-55…+175°C

1

Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

1

TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

2

Measured towards heat sink area (Drain) – Gemessen zur Kühlfläche (Drain)

3

Pulse width refer to SOA diagram – Pulsbreite siehe SOA-Diagramm

©

http://www.diotec.com/

1

Pb

RoHS

Halogen

FREE

1

4

3

2

5

6

7

8