Semiconductor Group

1

1997-11-01

Wesentliche Merkmale

q

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt

im Schmelzepitaxieverfahren

q

Hohe Zuverlässigkeit

q

Enge Toleranz: Chipoberfläche/

Bauteiloberkante

q

Hohe Impulsbelastbarkeit

q

Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

q

Sehr plane Oberfläche

q

Gehäusegleich mit SFH 309

Anwendungen

q

Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz

q

LWL

Features

q

GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in

a liquid phase epitaxy process

q

High reliability

q

Small tolerance: Chip surface to case

surface

q

High pulse handling capability

q

Good spectral match to silicon

photodetectors

q

Plane surface

q

Same package as SFH 309

Applications

q

Photointerrupters

q

Fibre optic transmission

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)

GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

SFH 487 P

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 487 P

Q62703-Q517

3-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-

Gie

Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschlu

β

3 mm LED package (T 1), plane, violet-colored trans-

parent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm

Ma

βe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

1.8

1.2

29

27

4.5

4.0

3.5

2.0

1.7

3.1

2.5

0.6

0.4

4.0

3.6

0.6

0.4

Approx. weight 0.3 g

Chip position

Area not flat

GEX06308

Cathode