Semiconductor Group

1

1997-11-01

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

GaAs Infrared Emitter

Wesentliche Merkmale

q

Sehr enger Abstrahlwinkel

q

GaAs-IR-LED, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

q

Hohe Zuverlässigkeit

q

Hohe Impulsbelastbarkeit

q

Gruppiert lieferbar

q

Gehäusegleich mit SFH 484

Anwendungen

q

IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,

Lichtdimmern, Geräten

Features

q

Extremely narrow half angle

q

GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

q

High reliability

q

High pulse handling capability

q

Available in groups

q

Same package as SFH 484

Applications

q

IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers,

of various equipment

LD 274

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

5.9

5.5

0.6

0.4

7.8

7.5

9.0

8.2

5.7

5.1

29

27

1.8

1.2

Area not flat

0.6

0.4

Cathode (Diode)

Chip position

GEX06260

Approx. weight 0.5 g

Collector (Transistor)

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

LD 274

Q62703-Q1031

Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat

marking: shorter solder lead, flat

Q62703-Q1819

LD 274-3

Q62703-Q1820