2013/9/18 

p.4 

EMB20P03V

‐ 5.0V

‐V   ‐ Drain‐Source Voltage( V )

0

0

10

20

DS

1

GS

V   = ‐ 10V

‐ 7.0V

30

40

50

23

‐ 4.5V

On‐Region Characteristics

‐ 6 V

‐ I   ‐ Drain Current( A )

On‐Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage

1.6

0.8

0

1.2

1.0

1.4

10

D

20

2.2

1.8

2.0

2.4

‐ 5 V

V    = ‐ 4.5 V

GS

30

40

‐ 7 V

‐ 10 V

50

I   = ‐10 A

T   ‐ Junction Temperature (°C)

‐50

0.6

0.8

1.0

J

‐25

0

25

50

D

V     = ‐10V

1.2

1.4

1.6

GS

150

100

75

125

On‐Resistance Variation with Temperature

T   = 125°C

‐ V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

2

0.01

0

0.02

4

GS

T   = 25°C

A

A

0.05

0.03

0.04

0.06

8

610

I   = ‐5 A

D

On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage

‐V   ‐ Gate‐Source Voltage( V )

1.5

0

10

GS

22.5

V   = ‐ 5V

20

30

40

DS

3.5

3

4

T   = 125°C

A

‐ 55°C

25°C

Transfer Characteristics

Body Diode Forward Voltage Variation with

Source Current and Temperature

25°C

‐V   ‐ Body Diode Forward Voltage( V )

0.6

0.1

0.0001

0

0.001

0.01

SD

0.2

0.4

V    = 0V

10

1

100

T   = 125°C

A

GS

0.8

1.0

‐55°C

1.2